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2EDL5023U2D

在产

在半桥配置中驱动高端和低端逻辑电平 MOSFET。120 V 自举电压,带有集成自举二极管和有源自举钳位机制,可避免自举电容器在死区期间过度充电。具有 TTL 逻辑兼容输入和分离输出,可以灵活地独立调整开启和关闭强度,并实施有源米勒钳位以避免感应开启。

Infineon英飞凌 2EDL5023U2D 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 无需外部自举二极管
  • 快速切换过渡
  • 更高的效率
  • 更高的功率密度
  • 诱导开启免疫

特性


  • 集成 120 V 自举开关
  • 低传播延迟和延迟匹配
  • Strong 7 A 有源米勒钳位
  • 强电流能力
  • 小型 2x2 毫米 TSNP 封装

参数


类型

描述

VBS UVLO (Off)

3.6 V

VBS UVLO (On)

3.8 V

关断传播延迟

20 ns

开通传播延迟

20 ns

电压等级

120 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

4.5 V 至 5.5 V

输出电流 (Source)

3 A

输出电流 (Sink)

5 A

通道数

2

配置

High-side and low-side

隔离类型

Functional levelshift JI (Junction Isolated)

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