Infineon英飞凌_IR2011_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IR2011 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

用于引导操作的浮动通道。
完全可操作至 200 V
可耐受负电压。瞬态电压。
dV/dt 免疫
栅极驱动电源：10 V 至 20 V
独立。低侧通道和高侧通道
输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
欠压。双通道锁定
3.3和 5 V 输入逻辑兼容
CMOS 施密特触发输入
匹配属性。两个通道均延迟。

参数

类型	描述
VBS UVLO (On)	9 V
VBS UVLO (Off)	8.2 V
VCC UVLO (On)	9 V
VCC UVLO (Off)	8.2 V
关断传播延迟	75 ns
开通传播延迟	80 ns
电压等级	200 V
认证标准	Industrial
输入Vcc 范围	10 V 至 20 V
输出电流 (Source)	1 A
输出电流 (Sink)	1 A
通道数	2
配置	High-side and low-side
隔离类型	Functional levelshift JI (Junction Isolated)

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IR2011

200 V 高侧和低侧驱动器 IC，具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引线 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也可提供 8 引脚 SOIC 封装。

特性

参数

4000-306-326