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2EDL8034G3C

在产

2EDL8034G3C 设计用于驱动半桥配置中的高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动自举电压高达 120 V 的高端 MOSFET,并提供完整的 4 A 电流能力。高端偏置电压是使用集成自举二极管的自举技术产生的。独立输入允许独立控制高端和低端域。

Infineon英飞凌 2EDL8034G3C 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 具有 3 A 和 4 A 拉电流 / 6 A 灌电流输出能力,提供同类最佳的驱动能力
  • 强大的拉电流/灌电流能力有助于实现更高的效率
  • 强大的 6 A 下拉电流,可避免感应开启
  • 紧密的传播延迟匹配可减少死区时间损失
  • 采用小型 3 x 3 mm 无引线封装,具有行业标准引脚排列
  • 集成自举二极管可降低 BOM 成本并提高功率密度

特性


  • 3 A 和 4 A 拉电流 / 6 A 灌电流输出能力
  • 120 V 绝对最大启动电压
  • 集成自举二极管
  • -10 V 至 20 V 输入引脚能力,增强了稳健性
  • -5 A 输出引脚反向电流能力
  • HS 上 -12 V 绝对最大负电压
  • 8 V 至 17 V 电源电压工作范围
  • 高端和低端驱动器均具有 UVLO
  • 快速传播延迟 (<35 ns)
  • 2 ns 典型延迟匹配
  • 在 SON-10 (3 x 3) 封装中启用/禁用功能
  • 采用 SON-10 (3x3) 封装
  • 额定工作结温范围为 -40ºC 至 125ºC

参数


类型

描述

VBS UVLO (On)

7.3 V

VBS UVLO (Off)

6.7 V

关断传播延迟

33 ns

开通传播延迟

33 ns

电压等级

120 V

认证标准

Industrial

输入Vcc 范围

8 V 至 17 V

输出电流 (Sink)

6 A

输出电流 (Source)

4 A

通道数

2

配置

High-side and low-side

隔离类型

Functional levelshift JI (Junction Isolated)

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