Infineon英飞凌_IGC100T75H12RYA_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IGC100T75H12RYA 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

非常适合汽车需求
提供 750 V 和 1200 V 等级
定制开发（按需）
输出电流密度提高高达 25%
减少损耗并增加最大值。TVJ
模块缩小带来的成本收益
系统级每安培成本低
减少并联工作量和成本
高可靠性和高质量
直接替换
简单的栅极驱动设计

特性

一流的电流密度
适用于 470 V VDC 系统
最大结温185°C
高开关速度
VCEsat 电平非常低
开关损耗非常低
短拖尾电流
参数分布非常紧密
短路鲁棒性 tsc = 3 µs
产品验证符合 AEC-Q101质量标准

参数

类型	描述
ICn	320 A
Tvj [°C] 范围	-40 至 185
VCE(sat) (Tvj=25°C @15V/200A)	1.15 V
VCE(sat) (Tvj=25°C @15V/320A)	1.29 V
VCE(sat) (Tvj=185°C @15V/200A)	1.2 V
VCE	750 V
技术	EDT3
推出年份	2025
目前计划的可用性至少到	2035

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IGC100T75H12RYA

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