Infineon英飞凌 AIKYX120N75CP2 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 基准质量和切换行为
- 非常适合汽车需求
- 出色的并行操作
- 高可靠性和使用寿命
- 低开关损耗和冷却工作量
- 不同功率等级 - 相同封装
- 功率可扩展性和成本优化
- 通过回流焊接实现高功率输出
- 系统级每安培成本低
- 低 EMI 特征
- 简单的栅极驱动设计
- 开尔文发射极效率更高
特性
- 一流的 750 V TO247PLUS
- 适用于 470 V VDC 系统
- VCEsat 非常低
- 短路耐受时间 tsc = 3 µs
- 260°C 回流焊设备合格
- 自限制短路电流
- 非常紧密的参数分布
- 低栅极电荷 QG
- 宽 2 毫米电源引脚
- 电阻焊接引脚
- 爬电距离高
- 产品验证符合 AEC-Q101
参数
类型 | 描述 |
Eon | 3.3 mJ |
最高 IC (@ 25°) | 150 A |
最高 IC (@ 100°) | 120 A |
最高 ICpuls | 360 A |
最高 IF | 120 A |
最高 IFpuls | 360 A |
Irrm | 60.8 A |
最高 Ptot | 577 W |
QGate | 765 nC |
Qrr | 4.1 nC |
td(off) | 202 ns |
td(on) | 48 ns |
tf | 65 ns |
tr | 27 ns |
最高 VCE(sat) | 1.5 V |
VCE(sat) | 1.35 V |
最高 VCE | 750 V |
VF | 1.8 V |
共封装二极管技术 | EMCON3 |
可回流焊接 | Yes |
封装 | TO-247PLUS-4 |
开关频率 | 7kHz - 15kHz |
技术 | EDT2 |
推出年份 | 2024 |
目前计划的可用性至少到 | 2033 |
类型 | IGBT + Diode |



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