Infineon英飞凌_AIKQ200N75CP2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKQ200N75CP2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

基准质量和开关性能 470V Vdc
高 CreepDist 满足 ATV V 要求 470V Vdc
极其坚固，满足任务要求
高开关频率 -> 更少的开关损耗
并联->=prod 适用于不同的功率等级

特性

VCE = 750 V
750 V 集电极-发射极阻断电压
平滑的开关特性
低 VCE(sat)，ICnom = 200 A 时为 1.30 V
短路耐受性
非常紧密的参数分布
快速软接收发射极控制 3 二极管
符合 AEC-Q101 要求
提高应用中的 OV 裕度
减少所需的并联器件数量
简单的栅极驱动设计

应用

电动汽车牵引逆变器, 消费类电子产品

参数

类型	描述
Eon	15.3 mJ
最高 IC (@ 25°)	200 A
最高 IC (@ 100°)	200 A
最高 ICpuls	600 A
最高 IF	200 A
最高 IFpuls	600 A
Irrm	41 A
最高 Ptot	1071 W
QGate	1256 nC
Qrr	4700 nC
td(off)	266 ns
td(on)	89 ns
tf	46 ns
tr	120 ns
VCE(sat)	1.3 V
最高 VCE	750 V
VF	1.8 V
共封装二极管技术	EMCON3
可回流焊接	No
封装	TO-247-3
开关频率	7kHz - 15kHz
技术	EDT2
推出年份	2022
最高电压等级	750 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT + Diode

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AIKQ200N75CP2

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4000-306-326