Infineon英飞凌_AIKQ120N75CP2_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKQ120N75CP2 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

基准质量和开关性能 470V Vdc
高 CreepDist 满足 ATV V 要求 470V Vdc
极其坚固，满足任务要求
高开关频率 -> 更少的开关损耗
并联->=prod 适用于不同的功率等级

特性

VCE = 750 V
750 V 集电极-发射极阻断电压
平滑的开关特性
极低 VCE(sat),1.30V（典型值）
短电路稳健
非常严格的参数分布
快速软接收发射极控制 3 二极管
符合 AEC-Q101 要求
提高应用中的 OV 裕度
减少所需的并联器件数量
简单的栅极驱动设计

应用

智能汽车解决方案, 新能源汽车动力系统, 电动汽车牵引逆变器, 汽车高压电动压缩机

参数

类型	描述
Eon	6.82 mJ
最高 IC (@ 25° )	150 A
最高 IC (@ 100°)	120 A
最高 ICpuls	360 A
最高 IF	120 A
最高 IFpuls	360 A
Irrm	33 A
最高 Ptot	682 W
QGate	731 nC
Qrr	3600 nC
td(off)	244 ns
td(on)	71 ns
tf	50 ns
tr	69 ns
VCE(sat)	1.3 V
最高 VCE	750 V
VF	1.7 V
共封装二极管技术	EMCON3
可回流焊接	No
封装	TO-247-3
开关频率	7kHz - 15kHz
技术	EDT2
推出年份	2022
最高电压等级	750 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT + Diode

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AIKQ120N75CP2

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特性

应用

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4000-306-326