Infineon英飞凌_AIKB15N65DH5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKB15N65DH5 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

TRENCHSTOP ™技术，低 VCEsat，优化为 H5 版本（高速版本），具有更软的开关行为，更易于设计
650V 击穿电压，30A 标称电流
与 RAPID-1 快速软反并联二极管同封装
极快的开关速度（高达 150kHz）
符合英飞凌质量标准的汽车级认证
最高结温 175 °C
最高效率
极低的传导损耗
极低的开关损耗
极低的结温和外壳温度
SMD D2PAK 封装，可降低组装成本并提高功率密度
极其坚固耐用

参数

类型	描述
最高 IC (@ 100°)	15 A
最高 IC (@ 25°)	30 A
VCE(sat)	1.65 V
最高 VCE	650 V
共封装二极管技术	RAPID1
可回流焊接	Yes
封装	D2PAK (TO-263-3)
开关频率	15-100 kHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™ 5
推出年份	2020
最高电压等级	650 V
类型	IGBT + Diode

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AIKB15N65DH5

特性

参数

4000-306-326