Infineon英飞凌_AIGB15N65H5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIGB15N65H5 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

采用 TRENCHSTOP ™技术，VCEsat 低
开关速度极快（高达 150kHz）
符合英飞凌质量标准
最高结温 175 °C
效率最高，传导损耗低
开关损耗极低
结温和外壳温度极低
采用 SMD D2PAK 封装，组装成本低
极其坚固耐用

应用

电动汽车牵引逆变器

参数

类型	描述
最高 IC (@ 100°)	15 A
最高 IC (@ 25°)	30 A
VCE(sat)	1.65 V
最高 VCE	650 V
可回流焊接	Yes
封装 (Type)	D2PAK (TO-263-3)
封装	D2PAK (TO-263-3)
开关频率	15-100 kHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™ 5
推出年份	2020
最高电压等级	650 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT

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AIGB15N65H5

特性

应用

参数

4000-306-326