Infineon英飞凌_AIGB15N65F5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIGB15N65F5 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

TRENCHSTOP ™ 5 技术，具有低 VCEsat，优化为 F5 变体（最高效率变体），以实现最高的开关速度
650V 击穿电压，15A 标称电流
非常快速的开关（高达 150kHz）
符合英飞凌质量标准的汽车认证
最高结温 175 °C
最高效率
非常低的传导损耗
非常低的开关损耗
非常低的结温和外壳温度
SMD D2PAK 封装，可降低组装成本并提高功率密度
极其坚固耐用

参数

类型	描述
最高 IC (@ 100°)	15 A
最高 IC (@ 25°)	30 A
VCE(sat)	1.6 V
最高 VCE	650 V
可回流焊接	Yes
封装	D2PAK (TO-263-3)
开关频率	15-120 kHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™ 5
推出年份	2020
最高电压等级	650 V
类型	IGBT

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AIGB15N65F5

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