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AIKW40N65DH5

现货,推荐

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT,为硬开关应用提供无与伦比的效率。

Infineon英飞凌 AIKW40N65DH5 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 阻断电压提高 50V
  • 效率最高
  • 器件可靠性高
  • 低温可减少冷却工作量
  • 系统成本更低

特性


  • 650V 阻断电压
  • 最高结温 175°C
  • 极低的传导和开关损耗
  • 极低的结温和外壳温度
  • 高功率密度设计
  • VCEsat 中的正温度系数

应用


汽车二次配电单元, 新能源汽车动力系统, 车载充电器(OBC), 汽车高压电动压缩机, 电动汽车充电

参数


类型

描述

Eoff (Hard Switching)

0.22 mJ

Eoff (Soft Switching)

0.04 mJ

Eon

0.38 mJ

最高 IC (@ 100°)

46 A

最高 IC (@ 25° )

74 A

最高 ICpuls

120 A

最高 IF

36 A

最高 IFpuls

120 A

Irrm

13.1 A

最高 Ptot

250 W

QGate

92 nC

Qrr

520 nC

td(off)

153 ns

td(on)

20 ns

tf

11 ns

tr

11 ns

VCE(sat)

1.66 V

最高 VCE

650 V

VF

1.55 V

共封装二极管技术

RAPID1

可回流焊接

No

封装

TO-247-3

开关频率

15-120 KHz

技术

IGBT TRENCHSTOP™ 5

推出年份

2017

最高 电压等级

650 V

目前计划的可用性至少到

2033

类型

IGBT + Diode

预算价格€/1k

2.47

  • Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍
  • 采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础,能够加速系统设计,从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
    2026-04-14 211次
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  • CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,可实现简化且高效的系统设计,从而实现最高效率和功率密度。 创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势,提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。
    2026-04-14 277次
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  • 这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件,片上集成有保护环,用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。
    2026-04-14 265次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺构建,经过优化,兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。
    2026-04-14 331次
  • Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍
  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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