Infineon英飞凌_AIKB20N60CT_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKB20N60CT 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

极低 V _CEsat1.5V（典型值）
最大结温 175°C
短路耐受时间 5µs
V Cesat 中的正温度系数
低 EMI
低栅极电荷
软、快速恢复发射极 HE 二极管

应用

BMS汽车电池管理系统, 电动汽车牵引逆变器

参数

类型	描述
Eoff (Soft Switching)	0.46 mJ
Eoff (Hard Switching)	0.6 mJ
Eon	0.31 mJ
最高 IC (@ 100°)	20 A
最高 IC (@ 25° )	40 A
最高 ICpuls	60 A
最高 IF	40 A
最高 IFpuls	60 A
Irrm	13.3 A
最高 Ptot	156 W
QGate	120 nC
Qrr	310 nC
td(off)	199 ns
td(on)	18 ns
tf	42 ns
tr	14 ns
VCE(sat)	1.5 V
最高 VCE	600 V
VF	1.65 V
共封装二极管技术	EMCON3
可回流焊接	Yes
封装	D2PAK (TO-263-3)
技术	IGBT TRENCHSTOP™
推出年份	2017
最高电压等级	600 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT + Diode
预算价格€/1k	1.6

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AIKB20N60CT

英飞凌适用于 600V 汽车应用的分立式 IGBT TRENCHSTOP ™和 Fieldstop 技术具有非常紧密的参数分布、高坚固性、温度稳定的行为和非常高的开关速度。

特性

应用

参数

4000-306-326