Infineon英飞凌_AIKB30N65DF5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKB30N65DF5 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

采用低 VCEsat 的 TRENCHSTOP ™技术
650V 击穿电压，30A 标称电流
配套包装：RAPID-1 快速软反二极管
极快的开关速度（高达 150kHz）
符合汽车标准
最高结温 175 °C
极低的开关损耗
极低的结温和外壳温度
PWM 引擎支持数字调光 SMD
极其坚固耐用

参数

类型	描述
最高 IC (@ 100°)	30 A
最高 IC (@ 25°)	55 A
VCE(sat)	1.6 V
最高 VCE	650 V
共封装二极管技术	RAPID1
可回流焊接	Yes
封装	D2PAK (TO-263-3)
开关频率	15-120 kHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™ 5
推出年份	2020
最高电压等级	650 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT + Diode

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AIKB30N65DF5

特性

参数

4000-306-326