Infineon英飞凌_AIKW50N65DF5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKW50N65DF5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

阻断电压提高 50V
效率最高
器件可靠性高
低温可减少冷却工作量
系统成本更低

特性

650V 阻断电压
最高结温 175°C
极低的传导和开关损耗
极低的结温和外壳温度
高功率密度设计
V_CEsat 中的正温度系数

应用

车载充电器（OBC）

参数

类型	描述
Eoff (Hard Switching)	0.25 mJ
Eoff (Soft Switching)	0.03 mJ
Eon	0.49 mJ
最高 IC (@ 100°)	53.5 A
最高 IC (@ 25° )	80 A
最高 ICpuls	150 A
最高 IF	40 A
最高 IFpuls	150 A
Irrm	15.5 A
最高 Ptot	270 W
QGate	108 nC
Qrr	680 nC
td(off)	156 ns
td(on)	21 ns
tf	6 ns
tr	12 ns
VCE(sat)	1.66 V
最高 VCE	650 V
VF	1.54 V
共封装二极管技术	RAPID1
可回流焊接	No
封装	PG-TO247-3
开关频率	15-120 KHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™ 5
推出年份	2017
最高电压等级	650 V
目前计划的可用性至少到	2033
类型	IGBT + Diode
预算价格€/1k	2.78

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AIKW50N65DF5

英飞凌的 TRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT 技术重新定义了“同类最佳”IGBT，为硬开关应用提供无与伦比的效率。

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特性

应用

参数

4000-306-326