Infineon英飞凌_AIKQ100N60CT_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AIKQ100N60CT 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

极低 V _CEsat 1.5V（典型值）
最大结温 175°C
短路耐受时间 5µs
V_CEsat
低 EMI
低栅极电荷
绿色封装
非常柔软、快速恢复反并联发射极控制 HE 二极管

应用

汽车二次配电单元

参数

类型	描述
Eoff (Soft Switching)	2.5 mJ
Eoff (Hard Switching)	3.7 mJ
Eon	3.1 mJ
最高 IC (@ 25° )	160 A
最高 ICpuls	400 A
最高 IF	160 A
最高 IFpuls	400 A
Irrm	23 A
最高 Ptot	714 W
QGate	610 nC
Qrr	2800 nC
td(off)	290 ns
td(on)	30 ns
tf	31 ns
tr	38 ns
VCE(sat)	1.5 V
最高 VCE	600 V
VF	1.65 V
共封装二极管技术	EMCON3
可回流焊接	No
封装	TO-247-3
开关频率	0-30 KHz
技术	IGBT TRENCHSTOP™
推出年份	2017
最高电压等级	600 V
类型	IGBT + Diode
预算价格€/1k	6.88

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AIKQ100N60CT

英飞凌适用于 600V 汽车应用的分立式 IGBT TRENCHSTOP ™和 Fieldstop 技术具有非常紧密的参数分布、高坚固性、温度稳定的行为和非常高的开关速度。

特性

应用

参数

4000-306-326