Infineon英飞凌_P2000DL45X168_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 P2000DL45X168 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

发生故障时的行为
密封外壳
设备冷却
堆栈设计

应用

工业电机驱动和控制, 中压 (MV) 驱动, 柔性交流输电系统, 高压直流 (HVDC), 轨交, 光伏

参数

类型	描述
IC(nom) / IF(nom)	2000 A
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)	2.25 V
VCES	4500 V
VF (Tvj=25°C typ)	2.8 V
封装	Disc dia 168mm high 26mm / Ceramic
技术	Press Pack
认证标准	Industrial
配置	IGBT + Diode

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P2000DL45X168

Press Pack IGBT 采用英飞凌 Trench 4.5 kV IGBT 芯片，提供 2000 A 电流，配有内部续流二极管。

特性

应用

参数

4000-306-326