Infineon英飞凌_IAUCN04S7L038D_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IAUCN04S7L038D 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

5x6 mm^2 紧凑型封装
60 A 高电流能力
前沿 OptiMOS™ 7 40 V 技术
RDSon 范围：1.94mΩ - 5.59 mΩ
采用铜夹的无引线封装，可实现最低的封装阻抗，最小化杂散干扰
高雪崩能力

特性

5x6 mm^2 紧凑型封装
60 A 大电流能力
领先的 OptiMOS 40 V 技术
RDSon 范围：1.94mohm - 5.59 mohm
带铜夹的无引线封装，可实现最低的封装阻抗，最小化杂散干扰
高雪崩能力

参数

类型	描述
Country of Assembly	Malaysia
Country of Diffusion	Austria, Germany
ID (@ TA=25°C)	60 A
最高 QG (typ @10V)	20 nC
QG (typ @10V)	15 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.84 mΩ
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 1.8 V
VGS(th)	1.5 V
封装	PG-TDSON-8
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	OptiMOS™7
推出年份	2026
极性	N+N
目前计划的可用性至少到	2038
系列	Automotive MOSFET
认证标准	Automotive

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IAUCN04S7L038D

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