Infineon英飞凌_IAUCN04S7L024D_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IAUCN04S7L024D 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Highest power & current density
High thermal capacity leadframe package
Reduced conduction losses
Optimized switching behavior
Reduced form factor
Industry standard package
JEDEC standard PG-TDSON-8

特性

5x6 mm² small footprint
60 A high current capability
Leading-edge OptiMOS™7 40 V
RDS(on) from 1.94 mΩ to 5.59 mΩ
Leadless package with Cu-clip
High avalanche capability

参数

类型	描述
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)	Malaysia
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)	Austria, Germany
最高 ID (@25°C)	60 A
最高 QG (typ @10V)	35 nC
QG (typ @10V)	27 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.49 mΩ
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 1.8 V
VGS(th)	1.5 V
封装	PG-TDSON-8
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	OptiMOS™7
推出年份	2026
极性	N+N
目前计划的可用性至少到	2038
系列	Automotive MOSFET
认证标准	Automotive

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IAUCN04S7L024D

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