Infineon英飞凌 IPDQ60R022S7A 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 最小化传导损耗
- 提高能源效率
- 更紧凑、更简单的设计
- 更低的 TCO 或 BOM 成本
特性
- CoolMOS ™ 7系列
- 改进的Ron*A
参数
类型 | 描述 |
最高 ID | 24 A |
最高 IDpuls | 375 A |
最高 Ptot | 416 W |
QG | 150 nC |
QG (typ @10V) | 150 nC |
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 22 mΩ |
RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 20 mΩ |
最高 VDS | 600 V |
VGS(th) 范围 | 3.5 V 至 4.5 V |
VGS(th) | 4 V |
安装 | SMT |
封装 | Q-DPAK |
工作温度 范围 | -40 °C 至 150 °C |
技术 | CoolMOS™ S7A |
极性 | N |
特殊功能 | Slow switching |



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