Infineon英飞凌_IPW65R048CFDA_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPW65R048CFDA 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的开关频率
软开关效率高
更高的功率密度
MOSFET 适合硬谐振拓扑

特性

CoolMOS ™ 3 系列
低栅极电荷
低存储能量 C_OSS
低 Q_rr
汽车认证
经过现场验证的 CoolMOS ™质量
自 1998 年以来的 CoolMOS ™

应用

新能源汽车动力系统, 电动汽车牵引逆变器, 车载充电器（OBC）, 电动汽车充电, DIN 导轨电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	63.3 A
最高 IDpuls	228 A
最高 Ptot	500 W
最高 QG (typ @10V)	270 nC
QG	270 nC
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	48 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	43 mΩ
最高 RthJA	62 K/W
最高 RthJC	0.25 K/W
Rth	0.25 K/W
最高 VDS	650 V
最低 VGS(th)	3.5 V
最高 VGS(th)	4.5 V
安装	THT
封装	TO247
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
技术	CoolMOS™ CFDA
拓扑结构	Full Bridge
极性	N
认证标准	Automotive
预算价格€/1k	4.66

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IPW65R048CFDA

650V CoolMOS ™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先的汽车级高压 CoolMOS ™功率 MOSFET。除了汽车行业所要求的众所周知的高质量和高可靠性特性之外，650V CoolMOS ™ CFDA 系列还提供集成的快速体二极管。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326