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Infineon英飞凌 IPBE65R190CFD7A 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的开关频率
软开关效率高
更高的功率密度
MOSFET 适用于硬拓扑和谐振拓扑
开尔文源
开尔文源

特性

CoolMOS ™ 7 系列
低栅极电荷
低存储能量 C_OSS
低 Q_rr
汽车认证
经过现场验证的 CoolMOS ™质量
自 1998 年以来的 CoolMOS ™

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	14 A
最高 ID	14 A
最高 IDpuls	55 A
最高 Ptot	77 W
最高 QG (typ @10V)	28 nC
QG	28 nC
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	190 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	158 mΩ
最高 VDS	650 V
VGS(th) 范围	3.5 V 至 4.5 V
VGS(th)	4 V
安装	SMT
封装	D2PAK
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
引脚数量	7 Pins
技术	CoolMOS™ CFD7A
极性	N
特殊功能	Highest cosmic radiation robustness
认证标准	Automotive

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IPBE65R190CFD7A

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