Infineon英飞凌_IPP65R075CFD7A_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPP65R075CFD7A 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的开关频率
软开关效率高
更高的功率密度
MOSFET 适合硬谐振拓扑

特性

CoolMOS ™ 7 系列
低栅极电荷
低存储能量 C_OSS
低 Q_rr
汽车认证
经过现场验证的 CoolMOS ™质量
自 1998 年以来的 CoolMOS ™

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	32 A
最高 ID	32 A
最高 IDpuls	139 A
QG	68 nC
最高 QG (typ @10V)	68 nC
最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)	75 mΩ
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	62 mΩ
最高 VDS	650 V
VGS(th) 范围	3.5 V 至 4.5 V
VGS(th)	4 V
安装	THT
封装	TO220
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
技术	CoolMOS™ CFD7A
极性	N
特殊功能	Highest cosmic radiation robustness
认证标准	Automotive

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IPP65R075CFD7A

采用 TO-220 封装的 75 mOhm IPP65R075CFD7A 属于汽车级 650V CoolMOS ™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 产品系列的一部分。与上一代产品相比，CoolMOS ™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时提高了设计灵活性。

产品详情

特性

参数

4000-306-326