Infineon英飞凌_IAUC120N06S5L011_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IAUC120N06S5L011 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

超越 AEC-Q101 的扩展资格
出色的热性能
低栅极电荷和 Qrr
电流容量提高 20%
支持 PPAP 的设备

应用

汽车车身电子与电力分配

参数

类型	描述
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)	Malaysia
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)	Germany
最高 ID	1000 A
最高 ID (@25°C)	120 A
QG (typ @10V)	123 nC
最高 QG (typ @10V)	160 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.1 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2.2 V
VGS(th)	1.7 V
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	OptiMOS™5
推出年份	2022
极性	N
目前计划的可用性至少到	2038
认证标准	Automotive

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IAUC120N06S5L011

适用于 60V MOSFET 的全新 OptiMOS ™ 5 技术采用行业标准单 SSO8（5x6 mm²）小尺寸封装，具有领先的性能，可提供低 RDS(on)、Qg 和栅极电容，并最大限度地减少传导和开关损耗。

特性

应用

参数

4000-306-326