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Infineon英飞凌 IAUAN04S7N005 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- Ron*A 非常低
- 高雪崩能力
- 小额门费
- 快速切换时间（开启/关闭）
- 高功率效率
- 提高设计坚固性
- 优化的切换性能
- 占地面积小，冷却效率高
- 高品质的产品设计
- 高品质 FE&BE 生产
特性
- OptiMOS ™ 7 40 V 功率 MOSFET
- N沟道增强模式-正常水平
- 超越 AEC-Q101 的扩展资格
- 增强电气测试
- 坚固的设计
- MSL2a 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Indonesia, Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria, Germany |
最高 ID (@25°C) | 250 A |
QG (typ @10V) | 110 nC |
最高 QG (typ @10V) | 143 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 0.51 mΩ |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 2.2 V 至 3 V |
VGS(th) | 2.6 V |
封装 | PG-HSOF-5 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™7 |
推出年份 | 2024 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2038 |
认证标准 | Automotive |
