Infineon英飞凌 IPP70N12S3-11 产品介绍
2026-04-14
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特性
- OptiMOS ™汽车功率 MOSFET
- N沟道 - 增强模式
- 符合汽车 AEC Q101 标准
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色产品(符合 RoHS 标准)
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria, China, Germany, Malaysia |
最高 ID (@25°C) | 70 A |
最高 IDpuls | 280 A |
最高 Ptot | 125 W |
最高 QG (typ @10V) | 65 nC |
QG (typ @10V) | 51 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 11.3 mΩ |
最高 RthJC | 1.2 K/W |
最高 VDS | 120 V |
VGS(th) 范围 | 2 V 至 4 V |
VGS(th) | 3 V |
封装 | TO220 (PG-TO220-3) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™T |
推出年份 | 2016 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2030 |
认证标准 | Automotive |
预算价格€/1k | 1.19, 1.19 |



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