h1_key

类型

描述

Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)

Malaysia

Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)

Germany

最高 ID (@25°C)

20 A

最高 IDpuls

80 A

最高 Ptot

43 W

最高 QG (typ @10V)

17.4 nC

QG (typ @10V)

13.4 nC

最高 RDS (on) (@10V)

35 mΩ

最高 RthJC

3.5 K/W

最高 VDS

100 V

VGS(th) 范围

1.1 V 至 2.1 V

VGS(th)

1.6 V

封装

dual SS08 (PG-TDSON-8)

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

OptiMOS™T2

推出年份

2013

极性

N+N

目前计划的可用性至少到

2034

认证标准

Automotive

预算价格€/1k

0.45