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Infineon英飞凌 IPG20N06S2L-35 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 双 SSO8 节省 PCB 空间和成本
- 键合线长度为 200um，最大电流为 20A
- 更大的源引线用于引线键合
- 性能与 DPAK 相同，芯片尺寸相同
- 用于热传递的裸露焊盘
- 2 个 N 沟道 MOSFET；隔离引线框架
特性
- 双 N 通道 - 增强模式
- 逻辑级别
- 工作温度 150 °C
- 雪崩等级
- dv/dt 额定值
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- AEC 认证
- 支持 PPAP 的设备
应用
底盘控制与安全, 主动悬架控制, 电子稳定控制
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | China, Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria, South Korea, Malaysia |
最高 ID (@25°C) | 20 A |
最高 IDpuls | 80 A |
最高 Ptot | 65 W |
最高 QG (typ @10V) | 23 nC |
QG (typ @10V) | 18 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 35 mΩ |
最高 RthJC | 2.3 K/W |
最高 VDS | 55 V |
VGS(th) 范围 | 1.2 V 至 2 V |
VGS(th) | 1.6 V |
封装 | dual SS08 (PG-TDSON-8) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™ |
推出年份 | 2009 |
极性 | N+N |
目前计划的可用性至少到 | 2034 |
认证标准 | Automotive |
预算价格€/1k | 0.43 |
