Infineon英飞凌_AUIRFN8458_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 AUIRFN8458 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

先进的工艺技术
双 N 沟道 MOSFET
超低导通电阻
工作温度 175°C
快速切换
允许重复雪崩直至 Tjmax
无铅，符合 RoHS 标准
符合汽车行业标准
支持 PPAP 的设备

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	43 A
Qgd	7.6 nC
QG (typ @10V)	22 nC
最高 QG (typ @10V)	33 nC
最高 RDS (on) (@10V)	10 mΩ
最高 RDS (on)	10 mΩ
RthJA	105 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	40 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.9 V
最高 VGS	20 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	Trench Mosfet
极性	N+N
湿度敏感等级	MSL_1
认证标准	Automotive

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AUIRFN8458

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4000-306-326