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Infineon英飞凌 IPD100N04S4L-02 产品介绍
2026-04-14
0次
特性
- OptiMOS ™功率 MOSFET
- N沟道逻辑电平增强模式
- 符合汽车 AEC Q101 标准
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
应用
智能驾驶域控制器, 汽车车身电子与电力分配, BMS汽车电池管理系统
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Malaysia |
最高 ID (@25°C) | 100 A |
QG (typ @10V) | 126 nC |
最高 QG (typ @10V) | 165 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 1.9 mΩ |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 1.2 V 至 2.2 V |
VGS(th) | 1.7 V |
封装 | DPAK (PG-TO252-3) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™T2 |
推出年份 | 2015 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2032 |
认证标准 | Automotive |
预算价格€/1k | 0.6 |
