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Infineon英飞凌 IPC70N04S5L-4R2 产品介绍
2026-04-14
0次
特性
- OptiMOS ™功率 MOSFET
- N沟道增强模式逻辑电平
- 符合 AEC Q101 要求
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
应用
高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD), 智能驾驶域控制器, 汽车车身控制模块 (BCM), 汽车仪表盘, 高性能驾驶舱控制器
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Indonesia, Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria, Germany |
最高 ID (@25°C) | 70 A |
最高 IDpuls | 280 A |
最高 Ptot | 50 W |
最高 QG (typ @10V) | 30 nC |
QG (typ @10V) | 22 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 4.2 mΩ |
最高 RthJC | 3 K/W |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 1.2 V 至 2 V |
VGS(th) | 1.6 V |
封装 | single SS08 (PG-TDSON-8) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™5 |
推出年份 | 2016 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2032 |
认证标准 | Automotive |
预算价格€/1k | 0.27 |
