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Infineon英飞凌 IPB80N06S2L-06 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 采用平面技术，55V 时 RDS(on) 最低
- 最高电流能力
- 最低的开关和传导损耗
- 最高热效率
- 坚固的包装和卓越的品质
- 优化总栅极电荷
- 更小的驱动器输出级
特性
- N 通道 - 增强模式
- 符合汽车 AEC Q101 标准
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色封装（无铅）
- 超低 RDS(on)
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Malaysia |
最高 ID (@25°C) | 80 A |
最高 IDpuls | 320 A |
最高 Ptot | 250 W |
最高 QG (typ @10V) | 150 nC |
QG (typ @10V) | 114 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 6 mΩ |
最高 RthJC | 0.6 K/W |
最高 VDS | 55 V |
VGS(th) 范围 | 1.2 V 至 2 V |
VGS(th) | 1.6 V |
封装 | D2PAK (PG-TO263-3) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™ |
推出年份 | 2006 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2033 |
认证标准 | Automotive |
预算价格€/1k | 1.12 |
