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Infineon英飞凌 IAUZN04S7N013 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 最高功率和电流密度
- 高热容量引线框架封装
- 降低传导损耗
- 优化切换行为
- 与传统封装相比，外形尺寸更小
- JEDEC 行业标准包
特性
- 3x3 mm² 小尺寸
- 60 A 高电流能力
- 采用尖端 OptiMOS ™ 7 40V
- RDS(on) 范围 1.2 mΩ – 4.9 mΩ
- 先进的无引线封装
- 高雪崩能力
- SOA 坚固性
- 支持 PPAP 的设备
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria |
最高 ID (@25°C) | 60 A |
最高 QG (typ @10V) | 48 nC |
QG (typ @10V) | 37 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 1.33 mΩ |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 2.2 V 至 3 V |
VGS(th) | 2.6 V |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™7 |
推出年份 | 2024 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2038 |
认证标准 | Automotive |
