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IAUZN04S7L025

现货,推荐

高电流、低RDS(on) 功率 MOSFET,采用 3x3mm² 先进无引脚封装,带有铜夹,适用于小封装 Ron 和最小杂散干扰,提供高功率密度、低通态损耗和优化的开关行为,与传统封装相比,封装尺寸更小,非常适合汽车应用,例如 功率分配、车身控制模块和电机。

Infineon英飞凌 IAUZN04S7L025 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 最高功率和电流密度
  • 高热容量封装框架
  • 减少通态损耗
  • 优化开关行为
  • 简化封装尺寸vs 引线封装
  • JEDEC 行业标准。封装 PG-TSDSON-8

特性


  • 3x3 mm² 小型封装
  • 60A 大电流能力
  • 先进的无引脚封装
  • 前沿OptiMOS™ -7 40V技术
  • RDS(on) 范围:1.2 mΩ – 4.9 mΩ
  • 低 RDS(on) 和低寄生电感的内部铜夹连接
  • 高雪崩能力
  • 高 SOA 可靠性
  • 支持 PPAP

应用


汽车pds配电系统, 车身控制模块 (BCM), 座椅控制模块, 智能闭锁系统, 智能车窗升降模块, 电动驻车制动器, 电动助力转向 (EPS), 汽车电动泵和风扇 12 V

参数


类型

描述

Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)

Malaysia

Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)

Austria

最高 ID (@25°C)

60 A

最高 QG (typ @10V)

30 nC

QG (typ @10V)

23 nC

最高 RDS (on) (@10V)

2.56 mΩ

最高 VDS

40 V

VGS(th) 范围

1.2 V 至 1.8 V

VGS(th)

1.5 V

封装

S3O8

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

OptiMOS™7

拓扑结构

OptiMOS™-7

推出年份

2025

极性

N

目前计划的可用性至少到

2038

认证标准

Automotive

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