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IAUTN15S6N038

现货,推荐

IAUTN15S6N038 采用英飞凌先进的功率半导体技术OptiMOS™ 6 150V 技术。它采用英飞凌多功能、高可靠、高电流 TOLT 10x15 mm² SMD 封装,专为满足严苛的汽车应用所需的高性能、高质量和可靠性而设计。主要特征包括RoHS合规性、MSL1 等级、超越 AEC-Q101 的汽车质量、PPAP 能力以及以卷带包装格式交付。

Infineon英飞凌 IAUTN15S6N038 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 高功率密度
  • 迄今为止业界最低的 RDS(on)
  • 高 ID 适用于高功率应用
  • 高开关性能

特性


  • 击穿电压 150V
  • 低电平 RDS(on) → 最低通态损耗
  • N-ch.-增强 模式-正常水平
  • VGS(th)
  • 的紧密分布
  • 工作温度为 175°C
  • 高雪崩能力

应用


BMS(两轮车和三轮车), 牵引逆变器(两轮车和三轮车), 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, 高压DC-DC转换器(商用车), 车载充电器(OBC)

参数


类型

描述

Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)

Malaysia

Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)

Germany

最高 ID (@25°C)

170 A

最高 IDpuls

601 A

最高 QG (typ @10V)

88 nC

QG (typ @10V)

67 nC

最高 RDS (on) (@10V)

3.8 mΩ

最高 RthJC

0.57 K/W

最高 VDS

150 V

VGS(th) 范围

3 V 至 4 V

VGS(th)

3.5 V

封装

TOLL (PG-HSOF-8-1)

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

OptiMOS™6

推出年份

2025

极性

N

认证标准

Automotive

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    2026-04-14 304次
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