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Infineon英飞凌 IAUTN15S6N025G 产品介绍
2026-04-14
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产品详情
- 高功率密度
- 目前业界最低的RDS(on)
- 高ID，适用于高功率应用
- 高开关性能
特性
- 击穿电压150V
- 低RDS(on)→最低通态损耗
- N沟道增强型模式-Normal Mosfet
- VGS(th)分布紧密
- 175°C工作温度
- 高雪崩能力
应用
BMS（两轮车和三轮车）, 牵引逆变器（两轮车和三轮车）, 用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器, 高压DC-DC转换器（商用车）, 车载充电器（OBC）
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Germany |
最高 ID (@25°C) | 245 A |
最高 IDpuls | 948 A |
最高 QG (typ @10V) | 139 nC |
QG (typ @10V) | 107 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 2.5 mΩ |
最高 RthJC | 0.42 K/W |
最高 VDS | 150 V |
VGS(th) 范围 | 3 V 至 4 V |
VGS(th) | 3.5 V |
封装 | TOLG (PG-HSOG-8-1) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™6 |
推出年份 | 2025 |
极性 | N |
认证标准 | Automotive |
