Infineon英飞凌_IAUTN06S5N008_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IAUTN06S5N008 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

非常适合 HV-LV DCDC 转换器
另有 TOLG 和 TOLT 套餐可供选择

特性

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
N沟道–增强模式–正常水平
超越 AEC-Q101 的扩展资格
增强电气测试
坚固的设计
MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
工作温度为 175°C
符合 RoHS 规定
100% Avalanche 测试
支持 PPAP 的设备

参数

类型	描述
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)	Malaysia
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)	Germany
最高 ID (@25°C)	510 A
QG (typ @10V)	210 nC
最高 QG (typ @10V)	273 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.76 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3 V
VGS(th)	2.6 V
封装	TOLL
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	OptiMOS™5
推出年份	2023
极性	N
目前计划的可用性至少到	2038
认证标准	Automotive

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IAUTN06S5N008

IAUTN06S5N008 是一款 0.76 mΩ、60V MOSFET，采用 TOLL 封装和英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。与其他设备不同，该设备专为 HV-LV DCDC 转换器而设计。

产品详情

特性

参数

4000-306-326