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Infineon英飞凌 IAUTN08S5N012L 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 同一部件中包含两种最佳 MOSFET 类型
- 每个 MOSFET 的独立控制
- 通过慢速开关最大限度地降低 EMI
- 限制浪涌电流
- 过压保护钳位
- 利用 ONFET 最大限度降低传导损耗
- 高 VDS 下的高线性模式电流
- 可以替换 2 个 FET，节省成本
- 久经考验的坚固耐用 OptiMOS ™ 5 和 TOLL
- 专为汽车坚固性而设计
- 汽车行业的高质量生产
特性
- 一个封装中有两种 MOSFET 类型
- 线性 FET 和低 RDS(on) FET 类型
- LINFET 切换速度慢，限制电流
- ONFET 可限制稳态损耗
- LINFET 增强了 SOA
- VGS(th) 范围窄，适合并联
- 每个 MOSFET 都有专用的栅极引脚
- 共用 MOSFET 源极和漏极引脚
- 符合 AEC-Q101 要求并符合 PPAP 要求
- 增强电气测试
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度175°C
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Germany |
最高 ID (@25°C) | 300 A |
最高 QG (typ @10V) | 24 nC, 231 nC |
QG (typ @10V) | 19 nC, 178 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 9 mΩ, 1.15 mΩ |
最高 VDS | 80 V |
VGS(th) 范围 | 2.5 V 至 3.3 V |
VGS(th) | 2.9 V |
封装 | PG-HSOF-8-2 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™5 |
推出年份 | 2024 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2038 |
认证标准 | Automotive |
