Infineon英飞凌_IAUMN10S5N017G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IAUMN10S5N017G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

增强温度循环结果
推荐用于金属基材
最小化传导损耗
出色的切换性能
高功率密度
可选择使用第二个 8x8mm²
专为汽车坚固性而设计
高品质汽车生产

特性

鸥翼形导线
与其他 8x8mm² 封装兼容
前沿 R_DS(on)
快速切换时间（开启/关闭）
超越 AEC-Q101 的扩展资格
增强电气测试
工作温度为 175°C
100% Avalanche 测试
支持 PPAP 的设备

参数

类型	描述
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)	Malaysia
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)	Germany
最高 ID (@25°C)	200 A
最高 QG (typ @10V)	170 nC
QG (typ @10V)	131 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.7 mΩ
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	PG-HSOG-4
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
技术	OptiMOS™5
推出年份	2024
极性	N
目前计划的可用性至少到	2038
认证标准	Automotive

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IAUMN10S5N017G

OptiMOS ™ 5 100V 汽车 MOSFET 采用我们全新的 mTOLG 8x8mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。由于其增强的 TCoB 性能，这种 mTOLG 封装 MOSFET 推荐用于铝 (Al) 芯 IMS 和铜 (Cu) 基金属基板。

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特性

参数

4000-306-326