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IAUCN10S7N074

现货,推荐

IAUCN10S7N074 是一款汽车 MOSFET,采用英飞凌领先的功率半导体技术 OptiMOS ™ 7 100 V。该产品采用我们多功能、坚固、高电流 SSO8 5x6 mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。

Infineon英飞凌 IAUCN10S7N074 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 极低的传导损耗
  • 卓越的切换性能
  • 5x6 mm2 封装内功率密度最高
  • 高功率效率
  • 占地面积小,冷却效率高
  • 非常适合平行放置
  • 提高设计坚固性
  • 焊点可靠性更高
  • 专为汽车坚固性而设计
  • 高品质汽车生产
  • 增强电气测试

特性


  • 低导通电阻,RDS(on)
  • 前沿 FOM (RDS(on) x Qg)
  • 快速切换时间(开启/关闭)
  • 高雪崩电流能力
  • 高 SOA 坚固性
  • 严格的阈值电压 VGS(th) 范围
  • 出色的热性能
  • 低封装电阻和电感
  • 独特的融合源引脚
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 支持 PPAP 的设备

参数


类型

描述

Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)

Indonesia, Malaysia

Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)

Austria, Germany

最高 ID (@25°C)

78 A

最高 QG (typ @10V)

27.9 nC

QG (typ @10V)

21.4 nC

最高 RDS (on) (@10V)

7.4 mΩ

最高 VDS

100 V

VGS(th) 范围

2.3 V 至 3.2 V

VGS(th)

2.8 V

封装

PG-TDSON-8

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

OptiMOS™7

推出年份

2024

极性

N

目前计划的可用性至少到

2038

认证标准

Automotive

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