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IAUCN08S7L018

现货,推荐

英飞凌在下一代前沿功率技术中推出了另一种 MOSFET; OptiMOS™ 7 80V。该产品采用我们多功能、高可靠性、高电流 SSO8 5x6mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。

Infineon英飞凌 IAUCN08S7L018 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 极低的通态损耗
  • 卓越的开关性能
  • 采用 5x6mm 封装的高功率密度
  • 功率效率高
  • 小封装和高效冷却
  • 提高设计可靠性
  • 专为汽车高可靠性而设计
  • 为汽车行业提供高质量的生产

特性


  • 低导通电阻,RDS(on)
  • 业界领先的 FOM (RDS (on) x Qg)
  • 快速开关时间(开启/关闭)
  • 低封装阻抗和寄生电感
  • 高雪崩电流能力
  • 高 SOA 可靠性
  • 出色的热性能
  • 超越 AEC-Q101 的质量要求
  • 增强电气测试
  • ML1 高达 260°C 高温回流温度
  • 工作温度为 175°C

应用


智能驾驶域控制器, 汽车48V辅助电机驱动, 汽车pds配电系统, 区域 DC-DC 转换器 48 V-12 V, 区域控制器, 汽车48V电池管理系统(BMS), 汽车电池保护和断开连接, 汽车电动泵和风扇 48 V, 轻型电动车解决方案

参数


类型

描述

Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)

Indonesia, Malaysia

Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)

Austria, Germany

最高 ID (@25°C)

175 A

最高 QG (typ @10V)

103.9 nC

QG (typ @10V)

79.9 nC

最高 RDS (on) (@10V)

1.8 mΩ

最高 VDS

80 V

VGS(th) 范围

1.2 V 至 2 V

VGS(th)

1.6 V

封装

PG-TDSON-8

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

技术

OptiMOS™7

推出年份

2025

极性

N

目前计划的可用性至少到

2038

认证标准

Automotive

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