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Infineon英飞凌 IAUCN10S7N040 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 极低的传导损耗
- 卓越的切换性能
- 5x6 mm2 封装内功率密度最高
- 高功率效率
- 占地面积小，高效冷却
- 非常适合平行放置
- 提高设计坚固性
- 焊点可靠性更高
- 专为汽车坚固性而设计
- 高品质汽车生产
- 增强电气测试
特性
- 低导通电阻，RDS(on)
- 前沿 FOM (RDS(on) x Qg)
- 快速切换时间（开启/关闭）
- 高雪崩电流能力
- 高 SOA 坚固性
- 严格的阈值电压 VGS(th) 范围
- 出色的热性能
- 低封装电阻和电感
- 独特的融合源引脚
- 超越 AEC-Q101 的扩展资格
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 支持 PPAP 的设备
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Indonesia, Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria, Germany, South Korea |
最高 ID (@25°C) | 120 A |
最高 QG (typ @10V) | 51.1 nC |
QG (typ @10V) | 39.3 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 4 mΩ |
最高 VDS | 100 V |
VGS(th) 范围 | 2.3 V 至 3.2 V |
VGS(th) | 2.8 V |
封装 | Single SSO8 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™7 |
推出年份 | 2024 |
极性 | N |
目前计划的可用性至少到 | 2038 |
认证标准 | Automotive |
