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Infineon英飞凌 IAUCN04S7N056D 产品介绍
2026-04-14
0次
特性
- OptiMOS ™ 7 40 V 功率 MOSFET
- N沟道增强模式-正常水平
- 超越 AEC-Q101 的扩展资格
- 增强电气测试
- 坚固的设计
- MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
- 工作温度为 175°C
- 绿色产品（符合 RoHS 标准）
- 100% Avalanche 测试
- 支持 PPAP 的设备
参数
类型 | 描述 |
Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change) | Malaysia |
Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change) | Austria, Germany |
最高 ID (@25°C) | 60 A |
最高 QG (typ @10V) | 12 nC |
QG (typ @10V) | 9 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 5.59 mΩ |
最高 VDS | 40 V |
VGS(th) 范围 | 2.2 V 至 3 V |
VGS(th) | 2.6 V |
封装 | PG-TDSON-8 |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
技术 | OptiMOS™7 |
推出年份 | 2024 |
极性 | N+N |
目前计划的可用性至少到 | 2038 |
认证标准 | Automotive |
