Infineon英飞凌_FF1000UXTR23T2M1_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF1000UXTR23T2M1 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Energy efficiency
High power density
Extended lifetime
Best in class reliability

特性

Integrated body diode
2000 A Inom
Low-inductive housing XHP™ 2
.XT interconnection technology
Symmetrical module design
Lowest switching and conduction losses
Tvj,op = 175°C continuous
4 kV isolation voltage
Cu baseplate

应用

Battery energy storage (BESS), 轨交, 氢气, 光伏, Wind power

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	0.95 mΩ
封装	XHP™ 2
尺寸 (length)	140 mm
尺寸 (width)	100 mm
应用	Renewables, ESS, H2, Traction
特性	.XT interconnection technology
认证标准	Traction, Industrial
配置	Half-bridge

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FF1000UXTR23T2M1

XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2300 V, 1.0 mΩ module with half-bridge topology and robust .XT interconnection technology for enhanced lifetime with best in class reliability. Also available with pre-applied Thermal Interface Material (TIM).

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326