Infineon英飞凌_FF55MR12W1M1H_B11_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF55MR12W1M1H_B11 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最大栅源电压扩展至 +23 V 和 -10 V
过载条件下的 T_vjop 最高可达 175°C
最佳性价比，可降低系统成本
实现高频运行，并降低冷却要求

特性

宽 RBSOA
极低杂散电感
扩大栅极驱动电压窗口
PressFIT 引脚

应用

电动汽车充电, 工业电机驱动和控制, 伺服电机驱动和控制

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	52.9 mΩ
封装	Easy 1B
尺寸 (length)	62.8 mm
尺寸 (width)	33.8 mm
应用	EV Charger, Servo motor, Industrial drives
特性	PressFIT
认证标准	Industrial
配置	Half-bridge

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FF55MR12W1M1H_B11

EasyDUAL ™ 1B CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、55 mΩ，采用 PressFit 接触技术和 Al2O3 陶瓷。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326