Infineon英飞凌_FF4MR12W2M1H_B70_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF4MR12W2M1H_B70 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

出色的模块效率
系统成本优势
系统效率提升
降低冷却要求
实现更高的频率
提高功率密度
DCB材料的导热性
DCB材料导热性更佳

特性

高度仅为 12.25mm，同类最佳
采用前沿 WBG 材料
模块杂散电感极低
增强型 CoolSiC ™ MOSFET Gen 1
扩大栅极驱动电压窗口
电压窗口范围：15 至 18 V 和 0 至 -5 V
扩展最大栅源电压
栅源电压：+23 V 和 -10 V
T_vjop：过载条件高达 175°C
集成 NTC 温度传感器

应用

燃料电池DC-DC升压转换器, Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 光伏, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	4 mΩ
封装	Easy 2B
尺寸 (width)	48 mm
尺寸 (length)	62.8 mm
应用	UPS, Solar, EV Charger, ESS, SST
特性	PressFIT, AlN
认证标准	Industrial
配置	Half-bridge

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FF4MR12W2M1H_B70

EasyDUAL ™ 2B CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、4 mΩ G1，带集成 NTC 温度传感器、PressFIT 接触技术和氮化铝陶瓷。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326