Infineon英飞凌_FF33MR12W1M1HP_B11_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF33MR12W1M1HP_B11 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

同类最佳封装：12 毫米高度
简易模块封装
极低的模块杂散电感
宽 RBSOA
1200 V CoolSiC ™ MOSFET
Rec.驱动电压：+15 ... +18V＆0 ... -5V
最大。栅源：+23 V 和 -10 V
最大。栅极-源极：+23 V 和 -10 V
T_vjop < 175°C（过载条件）
PressFIT 引脚
集成 NTC 温度传感器
热界面材料

应用

马达控制, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	33 mΩ
封装	Easy 1B
尺寸 (length)	62.8 mm
尺寸 (width)	33.8 mm
应用	Solar, EV Charger, ESS, UPS
特性	TIM, PressFIT
认证标准	Industrial
配置	Half-bridge

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FF33MR12W1M1HP_B11

EasyDUAL ™ 1B 1200 V、33 mΩ 半桥模块，采用 CoolSiC ™ MOSFET（增强型第一代）、集成 NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 接触技术

特性

应用

参数

4000-306-326