Infineon英飞凌_FF2MR12W3M1H_B11_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF2MR12W3M1H_B11 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

同类最佳封装：高度 12 毫米
简易模块封装
极低的模块杂散电感
低且相等的栅极电感
对称的内部芯片布局
宽 RBSOA
1200 V CoolSiC ™ MOSFET
栅极驱动电压：+15…+18 V 和 0…-5 V
最大。栅极-源极电压：+23 V 和 -10 V
T_vjop 在过载条件下。< 175°C
PressFIT 引脚

应用

Battery energy storage (BESS), 伺服电机驱动和控制, 中压 (MV) 驱动, 轨交, 光伏, 开关模式电源（SMPS）, 离线式 UPS — 高频变压器

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	1.44 mΩ
封装	Easy 3B
尺寸 (width)	62 mm
尺寸 (length)	109.85 mm
应用	UPS,Solar,Servo drives,Traction,ESS,CAV,FuelCell
特性	PressFIT
认证标准	Industrial
配置	Half-bridge

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FF2MR12W3M1H_B11

EasyDUAL ™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ 半桥模块采用增强型第一代 CoolSiC ™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术。

特性

应用

参数

4000-306-326