Infineon英飞凌_FF4MR20KM1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF4MR20KM1H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最大限度地减少冷却工作
减小体积和尺寸
降低系统成本
提高芯片性能

特性

高电流密度
低开关损耗
卓越的栅极氧化层可靠性
最高的抗湿性
坚固的集成体二极管
高宇宙射线抗性
高速开关模块
对称模块设计
标准构造技术

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 轨交, 光伏, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	3.5 mΩ
封装	62 mm
尺寸 (width)	61.4 mm
尺寸 (length)	106.4 mm
应用	EV Charger, UPS, Solar, Traction, ESS
认证标准	Industrial
配置	Half-bridge

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FF4MR20KM1H

62 毫米 CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 2000 V、3.5 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外壳设计，并配备 M1H 芯片技术。也可提供预先应用的热界面材料 (TIM)。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326