Infineon英飞凌_FF5MR20KM1H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FF5MR20KM1H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最大限度地减少冷却工作
减小体积和尺寸
降低系统成本
提高芯片性能

特性

高电流密度
低开关损耗
卓越的栅极氧化层可靠性
坚固耐用的集成体二极管
高宇宙射线稳健性
高速交换模块
对称模块设计
标准施工技术

应用

Battery energy storage (BESS), Solid-state circuit breaker (SSCB), 轨交, 光伏, AC-DC 辅助电源, 不间断电源 (UPS)

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	5.2 mΩ
封装	62 mm
尺寸 (width)	61.4 mm
尺寸 (length)	106.4 mm
应用	EV Charger, Solar, ESS, UPS
认证标准	Industrial
配置	Half-bridge

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FF5MR20KM1H

62 毫米 CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 2000 V、5.2 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外壳设计，并采用 M1H 芯片技术。也可提供预先应用的热界面材料 (TIM)。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326