Infineon英飞凌_BSS126I_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSS126I 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

极具竞争力的性价比
系统可靠性高
环保
行业标准资质水平
节省PCB空间和成本

特性

广泛的产品组合
Dv/dt 额定值
无铅镀铅
完全符合 JEDEC 标准
行业标准小外形封装

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	0.021 A
最高 IDpuls	0.085 A
最高 Ptot	0.5 W
QG (typ @4.5V)	1.4 nC
最高 RDS (on) (@10V)	500000 mΩ
RDS (on) (@0V)	700000 mΩ
最高 VDS	600 V
VGS(th) 范围	-2.7 V 至 -1.6 V
VGS(th)	-2 V
安装	SMD
封装	SOT-23
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Depletion mode
预算价格€/1k	0.04

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BSS126I

英飞凌是全球少数几家提供耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。耗尽型 MOSFET 应用领域包括电源，启动电源、过压保护、浪涌电流限制器和离线电压基准。通过一个单一器件，可以实现一个简单的电流调节器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326